|
|
|
结果: 找到相关主题 5781 个
-
驱动双极型晶体管的电路
它们大多应用于低功 率场合 ，这些电路通过各种方法来达到以 F两个目标 ：①用最少的元器件获得反向基极电压和反向基极电流，或者在关断和导通的过相巾将基极和发射极短路：②在主电路电流最大的时候，正向基极电流足够驱动卢值小的晶体管 ，同时不会在主电路电...www.kiaic.com/article/detail/212.html 2018-03-29
-
双极型晶体管的直流增益曲线
MOSFET 管还有N个方法 ，就是设它的最大结点温度一一比如说可以将其设为 100℃。然后假设一个合理的较低的 MOSFET 管结点到外壳的温升 （ 这样就小需里太低的外 壳散热温度 ，因为器件外壳温度比结点温低的越多 ，需要的散热器越大） 。www.kiaic.com/article/detail/217.html 2018-03-29
-
线性电源的稳压电源
线性电源的动态响应非常快，稳压性能好，只可惜其功率转换效率太低。要想提高效率，就必须使图 1-2中的功率调整器件（即调整管）处于开关上作状态，再对图1-2所示电路相应地稍加改变即成为开关型稳压电源。转变后的降压型开关电源原理图如图1-8所示。调整管作为...www.kiaic.com/article/detail/219.html 2018-03-29
-
CMOS,CMOS集成电路闩锁效应措施详解！
在CMOS应用中能同时将p沟道与n沟道MOSFET制作在同一片芯片上．需要额外的掺杂及扩散步骤，以便在衬底中形成“阱”或“盆(tub)”．阱中的掺杂种类与周围衬底不同．阱的典型种类有p阱、n阱以及双阱．阱技术的详细内容将于第14章中讨论．图6. 31为使用p阱技术制作...www.kiaic.com/article/detail/221.html 2018-03-29
-
MOSFET基本结构
由于在栅极与半导体之间有绝缘二氧化硅的关系，MOS器件的输入阻抗非常高，此一特色使MOSFET在功率器件的应用相当引人注目，因为高输入阻抗的关系，栅极漏电流非常低，因此功率MOSFET不必像使用双极型功率器件一样，需要复杂的输入驱动电路．此外，功率MOSFET的...www.kiaic.com/article/detail/222.html 2018-03-29
-
MOS管半导体器件
MOS二极管在半导体器件在物理中占有极其重要的地位，因为它是研究半导体表面特性最有用的器件之一．在实际应用中．它是先进集成电路中最重要的MOSFFT器件的枢纽．在集成电路中．MOS二极管亦可作为一储存电容器，并且是电荷耦合器件的基本组成部分，此节中我们首...www.kiaic.com/article/detail/223.html 2018-03-29
-
MOS管半导体的函数差-半导体的函数是如何定义的-KIA MOS管
MOS二极管的能带图，我们由夹在独立金属与独立半导体间的氧化层夹心结构开始[图6.9(a)]．在此独立的状态下，所有的能带均保持水平，此为平带状况．在热平衡状态下，费米能级必为定值，且真空能级必为连续，为调节功函数差，半导体能带需向下弯曲，如图6.9(b)所...www.kiaic.com/article/detail/224.html 2018-03-29
-
可控硅器件及相关功率器件
可控硅器件是一种非常重要的功率器件，可用来作高电压和高电流的控制．可控硅器件主要用在开关方面，使器件从关闭或是阻断的状态转换为开启或是导通的状态，反之亦然．我们已经讨论过双极型晶体管的开关特性，利用基极电流驱动晶体管和MOS管，从截止模式转变为...www.kiaic.com/article/detail/226.html 2018-03-29
-
驱动变压器电路
在驱动MOS晶体管Q2导通期间的开始部分，D1和S2将导通。但是当Ql已经关断并且基—射结间的恢复电流已经变为零的时候，在绕组P2的电压通过R1使Dl和S2反偏关断。所有绕组在开始时都变为负，同时在绕组P2中会形成电流，使磁心复位到负饱和状态。在饱和状态，流过Q2...www.kiaic.com/article/detail/229.html 2018-03-29
-
高压晶体管的抗饱和技术
在高压双极型开关晶体管中，“下降时间”(关断沿的速度或者dv/dt)主要由基极驱动关断电流特性曲线的形状来决定，从基极关断驱动申请到真正关断沿之间的延时是存储延时时间，它取决于关断之前的基区少数裁流子浓度。通过使少数载流子浓度最低来使存储时间减到最...www.kiaic.com/article/detail/230.html 2018-03-29
-
MOS管 MOS管电容器 MOSFET导通
半导体存储器可区分为挥发性与非挥发件性存储器两类．挥发性存储器，如动态随机存储器和静态随机存储器，若其电源供应关闭，将会丧失所储存的信息，相比之下，非挥发性存储器却能在电源供应关闭时保留所储存的信息，目前，DRAM与SRAM被广泛地使用于个人电脑以及...www.kiaic.com/article/detail/231.html 2018-03-29
-
mos管源漏极 mosfet管栅极电压 P型mosfet管的分析
大部分MOSFET管指定了最大栅源极间电压(±20V）。假定超越这个限制，器件就容易被损坏。当MOSFET管工作时运用栅极输入电阻，并在一个具有较大供电电压的电路中关断 ，就会呈现栅极电压超限的问题 。以一个工作于直流线电压为 160V （ 最大可为 186V） 电路...www.kiaic.com/article/detail/232.html 2018-03-29
-
MOS晶体管种类 mos管种类名称详解！
N沟MOS晶体管：衬底为P型，源漏为重掺杂的N＋，沟道中载流子为电子。P沟MOS晶体管：衬底为N型，源漏为重掺杂的P＋，沟道中载流子为空穴。在正常青况下，只需一种类型的载流子在工作，因此也称其为单极晶体管。按工作方式分增强型晶体管：若在零栅压下不存在漏源...www.kiaic.com/article/detail/233.html 2018-03-29
-
mos管工作用途是什么 开关是什么 通断注意方法
MOS管的开关条件”前而处置了MOS管的按法问题，接下来谈谈MOS管’ 的 开关条件·控制极电平为 “ 1_V ” 时MOS管导通 （饱和导通) 控制极电平为 “ 1_V ” 时MOS管截止这个问题触及到MOS管原理只记结果：不论N沟道还是Pr句道MOS管，G极电压都是与S极做比较...www.kiaic.com/article/detail/234.html 2018-03-29